삼성전자 파운드리 사업부장 정은승 사장이 3일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 '국제반도체소자학회(IEDM, International Electronic Devices Meeting)'에서 '4차 산업혁명과 파운드리 (4th Industrial Revolution and Foundry: Challenges and Opportunities)'를 주제로 기조 연설에 나섰다.
IEDM은 ISSCC(International Solid-State Circuit Conference), VLSI(Very Large Scale Integration) 학회와 함께 세계 3대 반도체 학회 중 하나로 전 세계의 반도체 전문가들이 참석한다.
정은승 사장은 기조연설을 통해 "4차 산업혁명 시대에 급증하는 데이터를 처리하기 위해서는 반도체 집적도를 높여 성능과 전력효율을 지속적으로 향상시켜야 하며, 이를 위해서는 EUV(극자외선) 노광기술, STT-MRAM 등 첨단 파운드리 기술의 진화가 중요하다"고 강조했다.
특히 반도체업계의 변곡점으로 꼽히는 EUV 노광기술은 삼성전자의 7나노 파운드리 공정과 향후 차세대 D램 생산의 '키'로 평가된다. 반도체 공정이 10나노 이하로 접어들면서 불화아르곤(ArF) 광원을 사용하는 기존의 노광 공정은 한계에 이르면서 나온 돌파구가 EUV다. EUV는 불화아르곤을 대체할 수 있는 광원으로 파장의 길이가 기존 불화아르곤의 1/14 미만에 불과해보다 세밀한 반도체 회로 패턴 구현에 적합하고, 복잡한 멀티패터닝 공정을 줄일 수 있어 반도체의 고성능과 생산성을 동시에 확보할 수 있는 장점이 있다.
특히 인공지능, 빅데이터, 자율주행 등 4차산업혁명의 핵심 기술들을 칩으로 구현할 반도체 파운드리의 수요가 무궁무진하다는 자신감을 보였다. 정 사장은 "자율주행차, 스마트 홈 등 새로운 아이디어들을 실제로 구현하기 위해서는 높은 수준의 반도체 기술이 필요하다"며 "향후 파운드리 사업은 반도체를 위탁 제조하는 기존의 역할을 강화할 뿐 아니라 고객 요청에 따라 디자인 서비스부터 패키지·테스트까지 협력을 확대하게 될 것"이라고 강조했다.
정 사장은 업계의 기술 트렌드와 더불어 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조를 적용한 3나노 공정 등 삼성전자의 최근 연구 성과도 함께 공개해 참석자들의 큰 관심을 받았다. 삼성전자는 현재 3나노 공정의 성능 검증을 마치고 기술 완성도를 높여가고 있다. GAA는 현재 첨단 반도체 공정에 사용되고 있는 핀펫 구조에서 한 단계 더 진화된 차세대 트랜지스터 구조로, 게이트가 채널의 3면을 감싸고 있는 핀펫과 달리 채널의 4개 면 모두를 감싸고 있어 전류의 흐름을 보다 세밀하게 제어할 수 있다. 삼성전자는 3나노 공정에서 '3GAAE/GAAP(3나노 Gate-All-Around Early/Plus)' 생산을 목표로 잡았다.
정 사장은 기조연설을 마무리 하면서 "최근 반도체 업계의 다양한 기술 성과는 장비와 재료 분야의 협력 없이는 불가능했다"며, "앞으로도 업계, 연구소, 학계의 경계 없는 협력이 반드시 필요하다"고 덧붙였다.
한편 삼성전자는 '삼성 파운드리 포럼'과 삼성전자 파운드리 에코시스템(SAFE, Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 등을 통해 글로벌 고객 및 파트너와 협력하며, 첨단 공정 생태계를 강화해 나가고 있다.
