지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발한 데 이어 이번 달 말부터 본격 양산에 들어간 것이다.
이번에 양산한 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다.
삼성전자측은 "생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다"고 밝혔다.
이번에 40나노급 D램을 조기 양산함으로써 현재 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 50나노 2기가비트 DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공하게 되어 제품 차별화를 더욱 강화하게 되었다.
삼성전자는 40나노급 2기가비트 DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다.
삼성전자는 앞으로도 차별화된 차세대 고용량, 고성능 D램 제품을 선행 개발하여 업계 최고의 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 예정이다.
한편, 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다.
2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망되고 있다.
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