삼성전자는 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대를 열었으며, 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓았다.
이로써 삼성전자는 업계에서 가장 많은 50나노 D램 제품군을 확보하게 됐다
4기가비트 DDR3 D램은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1,600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현함으로써, 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약20% 정도 성능이 향상됐다.
또한, 4기가비트 DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가 측면 뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘할 수 있어, 최근 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 맞춰 더욱 효과적인 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있다.
삼성전자는 1992년에 세계 최초로 64메가비트 D램을 개발해, D램 시장 정상에 오른 이래 256메가비트, 1기가, 2기가 D램 등 차세대 D램 제품을 잇따라 최초 개발하면서 D램 시장에서 기술 리더십을 지켜 왔으며, 이번에 4기가비트 DDR3 D램을 개발함으로써 다시 한 번 메모리 시장에서의 우위를 보여 주게 됐다.
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