삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인을 본격 가동하고 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작했다.
삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산' 행사를 개최한다고 발표했다.
이 날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석한다.
스티브 발머 마이크로소프트 최고경영책임자(CEO), 셰어 왕 HTC 회장, 제프 클라크 델 부회장, 양위엔칭 레노보 CEO, 프랜 오 설리반 IBM 부사장 등은 영상 메시지를 보내 삼성전자를 축하했다고 회사 측은 전했다.
지난해 5월 착공해 1년3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산 라인이다.
지난 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월부터 시범 가동에 들어간 뒤 8월 양산 체제를 갖췄으며 이달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만장 이상 생산한다.
삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.
삼성전자는 이와 함께 이 날 세계 최초로 20나노급 2Gb D램의 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다.
20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.
삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는4GB·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다. [데일리경제]
